(1)提高位错在滑移界面运动的阻力，即增加滑移式变形机构的形变抗力。

(2)减缓位错的扩散型运动进程，以按捺扩散型形变机构的进行。

(3)改进晶体结构状态，以增加晶界强化作用;或是撤销晶界，以消除晶界在高温时的薄弱环节。